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IRF9610S

IRD2-PAK

31518

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原装正品 可含税交易

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世TO-263

9850

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只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳博中泰实业有限公司

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IRTO-263

15000

25+

本公司 只做全新原装正品

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IRD2-Pak

27500

25+

原装正品,价格最低!

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO-263

368

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRTO-263

50000

2023+

原装现货

深圳市拓亿芯电子有限公司

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IRTO-263

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代理全新原装现货 价格优势

深圳市信科微科技有限公司

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IRTO-263

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原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单

深圳市一线半导体有限公司

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IRSOT-263

7700

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深圳市创新迹电子有限公司

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IRTO-263

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公司只做原装 品质保障

上海金庆电子技术有限公司

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IRTO-263

721

2023+

全新 发货1-2天

深圳市拓亿芯电子有限公司

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IRTO-263

30000

25+

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芯有半导体(深圳)有限公司

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INTERNATIONA原厂原装

4890

05+

只做全新原装真实现货供应

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IR/VISHAYD2-PAK

12300

26+

独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO-263

8000

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天津市博通航睿技术有限公司

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IRTO-263

7000

23+

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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IRTO-263

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原装现货

深圳市威雅利发展有限公司

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IRTO-263

321

1932+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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IRTO-263

10

25+

普通

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IRF9610SPBF价格

IRF9610SPBF价格:¥5.6393品牌:Vishay

生产厂家品牌为Vishay的IRF9610SPBF多少钱,想知道IRF9610SPBF价格是多少?参考价:¥5.6393。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF9610SPBF批发价格及采购报价,IRF9610SPBF销售排行榜及行情走势,IRF9610SPBF报价。

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IRF9610S功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF9610SPBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF9610STRL功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF9610STRR功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件