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IRF614B	文件：855.44 Kbytes Page：10 Pages	250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：855.44 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF614PBF	文件：924.75 Kbytes Page：7 Pages	hexfet power mosfet HEXFET Power MOSFET • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Fast Switching • Surface Mount • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Lead-Free 文件：924.75 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF614S	文件：176.64 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：176.64 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF614S	文件：217.94 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datashee 文件：217.94 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

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更多IRF614B供应商更新时间2025-10-11 16:30:00