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IRF3709ZL	文件：334.04 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF3709ZLPBF	文件：374.03 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower ●Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF3709ZLPBF	文件：383 Kbytes Page：13 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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3709	文件：29.61 Kbytes Page：2 Pages	050RoundConductorFlatCable	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
3709-BA	文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages	NEMASTEELMETALBOX	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
3709-CA	文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages	NEMASTEELMETALBOX	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
AS3709	文件：930.68 Kbytes Page：74 Pages	關PMICwith5DCDCand2LDOs	AMSCO austriamicrosystems AG
IIRF3709	文件：339 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IIRF3709Z	文件：339.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IIRFR3709Z	文件：337.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighFrequencySynchronousBuckConvertersForComputerProcessorPower •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.5mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IIRFR3709ZC	文件：337.17 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF3709	文件：339 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF3709	文件：121.99 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)max=9.0mohm,Id=90A?? SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF3709L	文件：121.99 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)max=9.0mohm,Id=90A?? SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF3709LPBF	文件：227.68 Kbytes Page：11 Pages	SMPSMOSFET SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF3709LPBF	文件：236.65 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyBuckConvertersforServerProcessorPowerSynchronousFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF3709PBF	文件：227.68 Kbytes Page：11 Pages	SMPSMOSFET SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF3709PBF	文件：236.65 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyBuckConvertersforServerProcessorPowerSynchronousFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF3709S	文件：121.99 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)max=9.0mohm,Id=90A?? SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRF3709ZL
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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