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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A鈶?
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深圳市博芯创达科技有限公司
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司
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IRF3709ZL技术资料

IRF3709ZL功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF3709ZLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 17nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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