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IRF3709ZS	文件：334.04 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower	IRF International Rectifier	IRF
IRF3709ZSPBF	文件：374.03 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF3709ZSPBF	文件：383 Kbytes Page：13 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRF3709ZSPBF	文件：383 Kbytes Page：13 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRF3709ZSTRLPBF	文件：383 Kbytes Page：13 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRFR/U3709Z	文件：1.9484 Mbytes Page：9 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3709Z	文件：450.16 Kbytes Page：7 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits VeryLowRDS(on)at4.5VVGS Ultra-LowGateImpedance *FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Features VDS(V)=30V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR3709Z	文件：360.22 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Applications HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse Lead-Free Benefits VeryLowRDS(on)at4.5VVGS Ultra-LowGateImpedance FullyCharacterizedAvala	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR3709Z	文件：1.9484 Mbytes Page：9 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3709Z	文件：337.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighFrequencySynchronousBuckConvertersForComputerProcessorPower •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.5mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRF3709ZS
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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