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IRF3709ZS中文资料30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF3709ZS

功能描述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:22:00

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IRF3709ZS规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 低 RDS(ON) @ 4.5V VGS
• 具备完全特性化的雪崩电压和电流
• 超低的栅极阻抗

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF3709ZS

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF3709ZSTRRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :D2PAK

  • VDS max

    :30 V

  • RDS (on) @10V max

    :6.3 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :7.8 mΩ

  • ID @25°C max

    :87 A

  • QG typ @4.5V

    :17 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :175 °C

  • VGS(th) min

    :1.35 V

  • VGS(th) max

    :2.25 V

  • VGS(th)

    :1.8 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
20+
D2-Pak
36900
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