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IRF3709Z中文资料30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF3709Z

功能描述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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IRF3709Z规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
• 经过充分验证的雪崩电压和电流
• 超低的栅极阻抗

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF3709Z

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :TO-220

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :6.3mΩ

  • RDS (on) max

    :6.3mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :7.8mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TC=100°C) max

    :62.0A

  • ID  max

    :62.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :87.0A

  • Ptot max

    :79.0W

  • QG 

    :17.0nC 

  • Mounting 

    :THT

  • Qgd 

    :6.0nC 

  • RthJC max

    :1.89K/W

  • Tj max

    :175.0°C

  • VGS max

    :20.0V

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