| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO220 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO220 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO220 |
18 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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IRT0220 |
10000 |
22+ |
原装正品优势供应 |
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深圳市钦宇承科技有限公司2年
留言
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IRTO220 |
18 |
16+ |
只做原装/假一赔百 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9865 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
2021 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO263 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
22+ |
只做原装进口货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
3000 |
15+ |
原厂很远现货很近只做原装必须原装 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO252 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRTO-220AB |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO220 |
1062 |
21+ |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
50000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO220 |
6528 |
2018+ |
承若只做进口原装正品假一赔十! |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-220铁头 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-220AB |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
IRF3709Z采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF3709ZSPBF价格
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IRF3709Z
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IRF3709Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3709ZCL功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3709ZCLPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3709ZCS功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3709ZCSPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZCSTRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3709ZCSTRLP制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 87A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF3709ZCSTRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3709ZCSTRRP制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 87A 3PIN TO-220 - Tape and Reel
IRF3709ZL功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3709ZLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
