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IRF3808L	文件：162.73 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Designed specifically for Automotive applications, this Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temper 文件：162.73 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3808L	文件：300.96 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3808LPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description This Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved 文件：264.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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IRF3808LPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IRF3808L供应商更新时间2025-10-4 11:03:00