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IRF3808L	文件：162.73 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Designed specifically for Automotive applications, this Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temper 文件：162.73 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3808L	文件：300.96 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3808LPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description This Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved 文件：264.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3808LPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：264.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3808LPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IRF3808L供应商更新时间2026-1-23 11:04:00