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IRF4104	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：254.18 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF4104	文件：338.2 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF4104	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 封装的 40V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF4104GPBF	文件：276.76 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：276.76 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF4104L	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：254.18 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF4104LPBF	文件：330.4 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：330.4 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF4104PBF	文件：330.4 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：330.4 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF4104PBF	文件：382.16 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：382.16 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF4104PBF_15	文件：382.16 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：382.16 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF4104S	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：254.18 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF4104PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
5.5 mΩ
ID @25°C max：
120 A
QG typ @10V：
68 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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