IRF4104中文资料采用 TO-220 封装的 40V 单 N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRF4104规格书详情
特性 Features
优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)
• Industry standard through-hole power package
• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size dependent)
• Capable of being wave-soldered
技术参数
- 制造商编号
：IRF4104
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRF4104PBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：TO220
- VDS max
：40 V
- RDS (on) @10V max
：5.5 mΩ
- ID @25°C max
：120 A
- QG typ @10V
：68 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：2 V
- VGS(th) max
：4 V
- VGS(th)
：3 V
- Technology
：IR MOSFET™
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