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IRF3717中文资料采用 SO-8 封装的 20V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF3717

功能描述

采用 SO-8 封装的 20V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:27:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF3717

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SO-8

  • VDS max

    :20.0V

  • RDS (on) max

    :4.4mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :4.4mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :5.7mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :16.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :20.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.5W

  • QG 

    :22.0nC 

  • RthJA max

    :50.0K/W

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :7.3nC 

  • VGS max

    :20.0V

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