| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
25+ |
TO-263 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
12916 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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13年
留言
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Infineon/英飞凌TO-263 |
9865 |
26+ |
专营品牌.原装正品.终端BOM表可配单 |
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2年
留言
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IRD2-PAK |
100000 |
25+ |
原装正品,只做正品 |
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21年
留言
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IRTO-263 |
6500 |
25+ |
专注原装芯片21年 一手货源 样品免费送 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263-3 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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12年
留言
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IRD2-Pak |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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1年
留言
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IRTO-263 |
3417 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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1年
留言
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IRTO-263 |
526 |
26+ |
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9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263-3 |
360000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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6年
留言
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IRTO-263 |
379 |
23+ |
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5年
留言
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InfineonD2PAK |
15500 |
25+ |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
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5年
留言
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IRD2-PAK800 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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IRD2-PAK |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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10年
留言
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55042 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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6年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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17年
留言
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IRD2-Pak |
8866 |
24+ |
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IRF3808S图片
IRF3808SPBF价格
IRF3808SPBF价格:¥7.3305品牌:IR
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IRF3808S资讯
IRF3808S IR整流器 75V106A TO263 N沟道 功率MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF3808S 75V106A TO263 N沟道 功率MOS管 IR整流器
IRF3808S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3808S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808SPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808STRL功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-262
IRF3808STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808STRR功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB
IRF3808STRRPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube





























