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IRF3808STRRPBF数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号：
IRF3808STRRPBF
- 功能描述：
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
D2PAK |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
12500 |
全新原装现货热卖,价格优势 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO263 |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO263 |
32360 |
IR全新特价IRF3808STRRPBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
IR |
23+ |
SOT263 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOT263 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
