| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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11年
留言
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IRTO-220 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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6年
留言
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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12年
留言
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INFINEONTO-220 |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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16年
留言
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IRTO-220AB |
65400 |
23+ |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
25+ |
TO-263 |
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7年
留言
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INFINEONTO-220 |
20000 |
2020+ |
全新原装公司现货 |
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14年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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12年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
12916 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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15年
留言
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INFINEONTO-220 |
9000 |
24+ |
原装现正品可看现货 |
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13年
留言
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INFINEONTube |
75000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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12年
留言
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INFINEONTO-220 |
8279 |
23+ |
全新原装正品现货可开票 |
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15年
留言
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IRTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
13000 |
21+ |
原装现货 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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13年
留言
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Infineon/英飞凌TO-263 |
9865 |
26+ |
专营品牌.原装正品.终端BOM表可配单 |
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2年
留言
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IRTO-220 |
6152 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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13年
留言
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INFINEON |
21000 |
26+ |
华南区总代 |
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IRF3808PBF价格
IRF3808PBF价格：￥5.4516品牌：INTERNATIONAL
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IRF3808PBF资讯
IRF3808S IR整流器 75V106A TO263 N沟道 功率MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF3808S 75V106A TO263 N沟道 功率MOS管 IR整流器
IRF3808PBF
IRF3808PBF
IRF3808PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3808L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
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IRF3808STRR功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB
IRF3808STRRPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808SPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808PBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808LPBF功能描述:MOSFET N-CH 75V 106A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
