| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
65400 |
23+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
12916 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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INFINEON22+/23+ |
5000 |
TO-220 |
原装正品 价格优势 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-220 |
2060 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
20990 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-220 |
9000 |
22+ |
原装现正品可看现货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
8890 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
59000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
5000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TO-220 |
35000 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220-3 |
9999 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-220 |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
留言
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20000 |
23+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
IRF3808采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF3808PBF价格
IRF3808PBF价格：￥5.4516品牌：INTERNATIONAL
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IRF3808PBF资讯
IRF3808S IR整流器 75V106A TO263 N沟道 功率MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF3808S75V106ATO263N沟道功率MOS管IR整流器
IRF3808PBF
IRF3808PBF
IRF3808PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3808制造商:International Rectifier
IRF3808L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808LPBF功能描述:MOSFET N-CH 75V 106A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3808PBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808SPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808STRL功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-262
IRF3808STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808STRR功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB
IRF3808STRRPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
