| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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50 |
07+ |
D2-PAK (TO-263) |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
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INFINEON/IRD2-PAK (TO-263) |
50 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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IRTO263 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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MAXIMUMTO-220 |
15000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
1450 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
38167 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONT0-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
2800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INFINEON/IRD2-PAK (TO-263) |
50 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-220-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
5000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRTO-220 |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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IRTO-220 |
3000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
IRF3805采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF3805图片
IRF3805PBF价格
IRF3805PBF价格：￥10.5501品牌：International Rectifier
生产厂家品牌为International Rectifier的IRF3805PBF多少钱，想知道IRF3805PBF价格是多少？参考价：￥10.5501。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF3805PBF批发价格及采购报价，IRF3805PBF销售排行榜及行情走势，IRF3805PBF报价。
IRF3805资讯
IRF3805S MOSFET N-CH 55V 75A TO263 IR国际整流器
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF3805S55V75ATO263
IRF3805中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3805功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3805HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF3805L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3805L-7PPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 240A 2.6mOhm 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3805LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3805PBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3805S功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3805S-7P制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3805S-7PHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
IRF3805S-7PPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
