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IRF4104S	文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF4104S	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRF4104SPBF	文件：330.4 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
4104	文件：31.22 Kbytes Page：8 Pages	Single-CoatedFoamTapes	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
4104CB	文件：91.44 Kbytes Page：1 Pages	KNOBSKIRTASSEMBLY	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
ACMD-4104	文件：120.42 Kbytes Page：3 Pages	UMTSBand4DuplexerwithBalancedRxPort	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体
ACMD-4104	文件：120.42 Kbytes Page：3 Pages	UMTSBand4DuplexerwithBalancedRxPort	AVAGOAvago 安华高安华高科技
AIMB-R4104	文件：295.55 Kbytes Page：1 Pages	RiserCards	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华研华科技
AK4104	文件：382.33 Kbytes Page：21 Pages	192kHz24-Bit3.3VDIT	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AK4104	文件：510.74 Kbytes Page：20 Pages	192kHz24-Bit3.3VDIT	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AK4104	文件：579.81 Kbytes Page：19 Pages	192kHz24-Bit3.3VDIT	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AK4104ET	文件：510.74 Kbytes Page：20 Pages	192kHz24-Bit3.3VDIT	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AK4104ET	文件：382.33 Kbytes Page：21 Pages	192kHz24-Bit3.3VDIT	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AKD4104	文件：510.74 Kbytes Page：20 Pages	192kHz24-Bit3.3VDIT	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AKD4104-A	文件：579.81 Kbytes Page：19 Pages	192kHz24-Bit3.3VDIT	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AN4104	文件：96.01 Kbytes Page：13 Pages	UsingtheSTM32F0xxDMAcontroller	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
AOD4104	文件：207.11 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD4104usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunityandbodydiodecharacteristics.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinCPUcorepowerconversion. -RoHSCompliant -HalogenFree* Features VDS(V)=2	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD4104	文件：318.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.4mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOI4104	文件：330.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
IRF4104S
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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