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IRF4104S	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：254.18 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF4104S	文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF4104SPBF	文件：330.4 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：330.4 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF4104S	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF4104LPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF4104PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
5.5 mΩ
ID @25°C max：
120 A
QG typ @10V：
68 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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