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IRF3808LPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description This Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved 文件：264.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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IRF3808LPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF3808PBF	文件：213.27 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Designed specifically for Automotive applications, this Advanced Planar Stripe HEXFET Æ Power MOSFET utilizes the latest process ing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating tem 文件：213.27 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF3808S	文件：162.73 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Designed specifically for Automotive applications, this Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temper 文件：162.73 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3808S	文件：189.54 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IRF3808LPBF
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 106A TO-262
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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