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IRF4905STRRPBF

Advanced Process Technology

文件:174.08 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFI4905

HEXFET Power MOSFET

文件:130.02 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFP4905

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:297.53 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

KMB4905

Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)

文件:607.2 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

详细参数

  • 型号:

    IRF4905STRR

  • 功能描述:

    MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRF4905STRR供应商 更新时间2025-10-5 14:14:00