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IRF3711LPBF	文件：291.73 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPS MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use ● High Frequency Buck Converte 文件：291.73 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3711LPBF	文件：292.69 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use SMPS MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use ● High Frequency Buck Converte 文件：292.69 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3711LPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use	Infineon 英飞凌	Infineon
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IRF3711S	文件：245.69 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A?? SMPS MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use ● High Frequency Buck Conv 文件：245.69 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF3711LPBF
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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