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IRF3711STRLPBF	文件：292.69 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use SMPS MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use ● High Frequency Buck Converte 文件：292.69 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3711Z	文件：299.87 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications • High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power Benefits • Low RDS(on) at 4.5V VGS • Ultra-Low Gate Impedance • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：299.87 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3711ZCL	文件：273.96 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power 文件：273.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRF3711STRL
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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