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IRF3805	文件：361.25 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=55V RDS(on)=3.3mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805	文件：339.23 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3805L	文件：361.25 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=55V RDS(on)=3.3mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805L-7PPBF	文件：303.03 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS=55V RDS(on)=2.6mΩ ID=160A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805LPBF	文件：417.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=55V RDS(on)=3.3mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805PBF	文件：417.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=55V RDS(on)=3.3mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805S	文件：361.25 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=55V RDS(on)=3.3mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805S-7P	文件：638.02 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=55V RDS(on)=2.6mΩ ID=160A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805S-7PPBF	文件：303.03 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS=55V RDS(on)=2.6mΩ ID=160A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805SPBF	文件：417.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=55V RDS(on)=3.3mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805LPBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF3805PBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805PBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF3805PBF_15	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805S	文件：300.09 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3805S-7PPBF_15	文件：346.28 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805SLPBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF3805SPBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
ANS-3805	文件：136.2 Kbytes Page：3 Pages	ALUMINUMNEMA4XBOXWITHEMI/RFISHIELDING	BUD Bud Industries	BUD
AUIRF3805	文件：388.08 Kbytes Page：15 Pages	UltraLowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
IRF3805
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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