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IRF3805LPBF	文件：417.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 3.3mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper 文件：417.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3805LPBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：394.62 Kbytes 页数：12 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF3805LPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET VDSS = 55V\nRDS(on) = 3.3mΩ\nID = 75ADescription\nSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperat Advanced Process Technology\nUltra Low On-Resistance\n175°C Operating Temperature\nFast Switching\nRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax\nLead-Free;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF3805PBF	文件：417.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 3.3mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper 文件：417.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3805PBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：394.62 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRF3805LPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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