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IIPP072N10N3	文件：338.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI072N10N3	文件：305.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI072N10N3G	文件：317.03 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS3Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPP072N10N3G	文件：693.81 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features N-channel,normallevel Verylowon-resistanceRps(on) 175°Coperatingtemperature Pb-freeleadplating;RoHScompliant Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ps=100V Ip(atVgs=10V)=80A Rps(on)(atVes=10V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW

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