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IR2111	文件：291.81 Kbytes Page：7 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2111(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels designed for half bridge applications. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic input is com 文件：291.81 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IR2111	文件：154.27 Kbytes Page：15 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2111(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels designed for half bridge applications. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic input is com 文件：154.27 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IR2111	文件：167.15 Kbytes Page：15 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：167.15 Kbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IR2111	文件：155.7 Kbytes Page：15 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：155.7 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IR2111	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V半桥栅极驱动器IC, 具有击穿保护功能 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 具有下拉的 CMOS 施密特触发输入\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 内置死区时间\n• 高边输出与输入同相\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2111	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：散装类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IR2111PBF	文件：154.27 Kbytes Page：15 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2111(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels designed for half bridge applications. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic input is com 文件：154.27 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IR2111S	文件：154.27 Kbytes Page：15 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2111(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels designed for half bridge applications. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic input is com 文件：154.27 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IR2111SPBF	文件：154.27 Kbytes Page：15 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2111(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels designed for half bridge applications. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic input is com 文件：154.27 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IR2111_15	文件：155.7 Kbytes Page：15 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：155.7 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IR2111
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
散装
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
8.3V，12.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
80ns，40ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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