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IR2111S

HALF-BRIDGE DRIVER

文件:167.15 Kbytes 页数:15 Pages

INFINEON

英飞凌

IR2111STR

HALF-BRIDGE DRIVER

文件:155.7 Kbytes 页数:15 Pages

IRF

IR2111STRPBF

HALF-BRIDGE DRIVER

文件:155.7 Kbytes 页数:15 Pages

IRF

IR2111S

600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection

600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.25 A source and 0.5 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. • Floating channel designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage\n• dV/dt immune\n• Gate drive supply range from 10 to 20 V\n• Undervoltage lockout for both channels\n• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down\n• Matched propagation del;

Infineon

英飞凌

IR2111S

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:散装 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

INFINEON

英飞凌

IR2111SPBF

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IR2111

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    散装

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    8.3V,12.6V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    250mA,500mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    80ns,40ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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更多IR2111供应商 更新时间2026-10-25 9:00:00