| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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35600 |
23+ |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
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IRDIP13 |
15 |
08+ |
公司原装现货,可来看货! |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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IORDIP |
700000 |
23+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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5000 |
23+ |
原装现货 本公司为一般纳税人,可开17%增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRDIP14 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IORPLCC |
18000 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIP14 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRDIP |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRDIP |
327 |
23+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IORDIP(67) |
27 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
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InternationalRectifierICMOSFETDRVRHI/LOSIDE14- |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市和悦电子贸易有限公司1年
留言
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IRDIP13 |
1000 |
14+ |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IORDIP13 |
7500 |
1904+ |
自家现货!原装特价供货!一片起卖! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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IRDIP32 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INTERNATIONALRECTIFIERNA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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INTERNATIONALRECTIFIERNA |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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IORDIP |
338 |
0101+ |
全新原装 实单必成 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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Infineon Technologies14-PDIP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies14-DIP(0.300,7.62mm),13 引 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装，诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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Infineon Technologies14-PDIP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
IR2113-1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IR2113-1图片
IR2113-1中文资料Alldatasheet PDF
更多IR2113-1功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2113-1PBF功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 2A 120ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IR2113-1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
3.3V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
25ns，17ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
14-DIP（0.300"，7.62mm），13 引线
- 供应商器件封装：
14-PDIP
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
