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IR2130S

3-PHASE BRIDGE DRIVER

Description The IR2130/IR2132(J)(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with three independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down

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INFINEON

英飞凌

IR2130S

3-PHASE BRIDGE DRIVER

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IRF

IR2130SPBF

3-PHASE BRIDGE DRIVER

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IRF

IR2130STRPBF

3-PHASE BRIDGE DRIVER

文件:304.05 Kbytes 页数:26 Pages

IRF

IR2130S

600 V three-phase gate driver IC with over current protection, OPAMP, and fault reporting

600 V 三相驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流,采用 28 引脚 SOICWB 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 28 引脚 PDIP 和44 引脚 PLCC封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围:10 至 20V\n• 全通道欠压锁定\n• 典型死区时间 2.5 µs (IR2130)\n• 提供典型死区时间 0.8 µs (IR2132) 选项\n• 过流关断会关闭所有六个驱动器\n• 独立半桥驱动器\n• 全通道匹配传播延迟\n• 2.5 V 逻辑兼容\n• 输出与输入不同相\n• 防止交叉传导逻辑\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

IR2130S

Package:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

INFINEON

英飞凌

IR2130STR

Package:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

INFINEON

英飞凌

IR2130STRPBF

Package:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IR2130S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    3 相

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    250mA,500mA

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    80ns,35ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    28-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IR2130S供应商 更新时间2026-1-17 9:58:00