isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

丝印：072N10N；Package：TO-220；100V N-Channel MOSFET

Features * N-channel, normal level * Very low on-resistance Rps(on) *175 °C operating temperature * Pb-free lead plating; RoHS compliant * Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification * ps =100V * Ip (at Vgs=10V)=80A * Rps(on)(at Ves=10V)

文件：693.81 Kbytes 页数：9 Pages

UMW

友台半导体

丝印：072N10N；Package：PG-TO262-3；OptiMOS3 Power-Transistor

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr

文件：317.03 Kbytes 页数：10 Pages

INFINEON

英飞凌

20V-300V N-Channel Power MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Infineon

英飞凌