HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard

文件：148.56 Kbytes 页数：14 Pages

INFINEON

英飞凌

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard

文件：138.73 Kbytes 页数：13 Pages

IRF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard

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IRF

IR2101S是一款半桥前级驱动IC，能够驱动一对功率器件（IGBT/N-MOSFET）。适用于具有外部自举二极管的典型自举架构。具备UVLO（欠压锁定）和交叉导通防护功能。

文件：2.666102 Mbytes 页数：8 Pages

XBLW

芯伯乐

PDF上传者：深圳市博伟奇电子有限公司

HIGH AND LOW SIDE DRIVER Product Summary

文件：144.27 Kbytes 页数：14 Pages

IRF

600 V high-side and low-side gate driver IC

用于IGBT和MOSFET的600 V高边和低边栅极驱动器 IC，具有典型的 0.21 A 散入和 0.36 A 散出电流，并采用电平转换技术的8管脚SOIC封装。也提供8 脚管 PDIP封装。 • 为 bootstrap 操作设计的浮地通道\n• 可在 +600 V 完全运行\n• 容许负瞬变电压\n• 有一定的dV/dt 抗扰能力\n• 栅极驱动电源范围 10 至 20 V\n• 欠电压锁止\n• 3.3 V、5 V，和 15 V 逻辑输入兼容\n• 两个通道的传播延迟相匹配\n• 输出与输入同相 (IR2101) 或与输入反相 (IR2102)\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

INFINEON

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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