IR2101S中文资料600 V high-side and low-side gate driver IC数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IR2101S |
| 参数属性 | IR2101S 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为散装；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 功能描述 | 600 V high-side and low-side gate driver IC |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 13:28:00 |
| 人工找货 | IR2101S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IR2101S规格书详情
描述 Description
用于IGBT和MOSFET的600 V高边和低边栅极驱动器 IC，具有典型的 0.21 A 散入和 0.36 A 散出电流，并采用电平转换技术的8管脚SOIC封装。也提供8 脚管 PDIP封装。
特性 Features
• 为 bootstrap 操作设计的浮地通道
• 可在 +600 V 完全运行
• 容许负瞬变电压
• 有一定的dV/dt 抗扰能力
• 栅极驱动电源范围 10 至 20 V
• 欠电压锁止
• 3.3 V、5 V，和 15 V 逻辑输入兼容
• 两个通道的传播延迟相匹配
• 输出与输入同相 (IR2101) 或与输入反相 (IR2102)
优势:
应用 Application
• Room air conditioners
• Home appliances
• Power tools
• Hood fan
• Motor control and drives
• Hybrid and electric vehicles
• Motor control for battery powered applications
• Solutions for solar energy systems
简介
IR2101S属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的IR2101S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 制造商编号
：IR2101S
- 生产厂家
：Infineon
- Product Status
：active/active
- Voltage Class
：600 V
- Output Current Source min
：0.13 A
- Output Current Source
：0.21 A
- Output Current Sink min
：0.27 A
- Output Current Sink
：0.36 A
- Channels
：2
- Configuration
：High-side and low-side
- Qualification
：Industrial
- Isolation Type
：Functional levelshift
- Switch Type
：IGBT/MOSFET
- Package name
：SOIC 8N/SOIC 8N
- UVLO Input Off
：8.2 V
- Turn On Propagation Delay max
：220 ns
- Turn On Propagation Delay
：160 ns
- Turn Off Propagation Delay max
：220 ns
- Turn Off Propagation Delay
：150 ns
- Input Vcc min
：10 V
- Input Vcc max
：20 V
- Output Vbs min
：10 V
- Output Vbs max
：20 V
- Rise Time max
：170 ns
- Rise Time
：100 ns
- Fall Time max
：90 ns
- Fall Time
：50 ns
- UVLO Input On
：8.9 V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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