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IR2118	文件：264.88 Kbytes Page：7 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118	文件：272.83 Kbytes Page：18 Pages	Gate drive supply range from 10 to 20V Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118	文件：269.58 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118PBF	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118S	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118SPBF	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118STRPBF	文件：267.4 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118S	文件：269.58 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2118STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
2118A	文件：255.45 Kbytes Page：3 Pages	Fieldbus,1Pr#18StrTC,XLPOIns,OS,TPEJkt,600VTC	BELDEN Belden Inc.
2118-RC	文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
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2118-RC	文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2118-RC	文件：117.11 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
ADP2118	文件：1.2475 Mbytes Page：24 Pages	3A,1.2MHz/600kHzHighEfficiencySynchronousStep-DownDC-to-DCConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AIRS2118S	文件：510.23 Kbytes Page：21 Pages	SINGLECHANNELDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRS2118S	文件：510.23 Kbytes Page：21 Pages	SINGLECHANNELDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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产品属性

产品编号：
IR2118
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
散装
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
80ns，40ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

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