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IPI072N10N3G
厂商型号

IPI072N10N3G

功能描述

OptiMOS3 Power-Transistor

丝印标识

072N10N

封装外壳

PG-TO220-3

文件大小

317.03 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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IPI072N10N3G规格书详情

特性 Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

• Very low on-resistance R DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC1) for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

产品属性

  • 型号:

    IPI072N10N3G

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

  • 功能描述:

    N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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