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IPI65R190E6	文件：2.2177 Mbytes Page：19 Pages	650V CoolMOS??E6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI65R190E6	文件：330.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPL65R190E6	文件：1.64986 Mbytes Page：15 Pages	Reducedboardspaceconsumption	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP65R190E6	文件：338.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP65R190E6	文件：2.2177 Mbytes Page：19 Pages	650VCoolMOS??E6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R190E6	文件：335.63 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW65R190E6	文件：2.2177 Mbytes Page：19 Pages	650VCoolMOS??E6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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深圳市安富世纪电子有限公司	IPI65R190E6	INFINEON	23+	TO262	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多IPI65R190E6供应商更新时间2025-7-23 15:01:00

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