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IPI80CN10NG	文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages	丝印：80CN10N；Package：PG-TO262-3；N-channel, normal level Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：1.03396 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI80CN10NG	文件：710.31 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：710.31 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI80CN10NG	文件：1.02675 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor 文件：1.02675 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPP80CN10N	文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多IPI80CN10NG供应商更新时间2025-10-8 16:12:00