首页 >IPI80N04S2-H4>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

IPI80N04S2-H4

OptiMOS짰 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPI80N04S2-H4

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPB80N04S2-H4

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPB80N04S2-H4

OptiMOS짰Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPP80N04S2-H4

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPP80N04S2-H4

OptiMOS짰Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPB80N04S2-H4

N-Channel40V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SPB80N04S2-H4

OptiMOSPower-Transistor

Feature •N-Channel •Enhancementmode •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPI80N04S2-H4

OptiMOSPower-Transistor

Feature •N-Channel •Enhancementmode •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPP80N04S2-H4

N-Channel40-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    IPI80N04S2-H4

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 80A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
24+
PG-TO262-3I2-PAK(T
8866
询价
Infineon
23+
TO-262
7750
全新原装优势
询价
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
INFINEON
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
INFINEON
23+
TO-262
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
NEXPERIA/安世
23+
SOT109-1
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
INFINEON
23+
TO-262
8000
专注配单,只做原装进口现货
询价
INFINEON
23+
TO-262
8000
专注配单,只做原装进口现货
询价
INFINEON
23+
TO-262
7000
询价
INFINEON/英飞凌
22+
TO262-3
90891
询价
更多IPI80N04S2-H4供应商 更新时间2025-5-16 16:30:00