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IPI80P03P4L-04	文件：174.32 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor Features •P-channel-LogicLevel-Enhancementmode •AECqualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •Greenpackage(RoHScompliant) •100Avalanchetested •Intendedforreversebatteryprotection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPI80P03P4L-04

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OptiMOS-P2 Power-Transistor

Features •P-channel-LogicLevel-Enhancementmode •AECqualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •Greenpackage(RoHScompliant) •100Avalanchetested •Intendedforreversebatteryprotection

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

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OptiMOS-P2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

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OptiMOS-P2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

详细参数

型号：
IPI80P03P4L-04
功能描述：
MOSFET P-Channel -30V MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IPI80P03P4L-04供应商更新时间2024-5-20 14:16:00

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