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IPI80P03P4L-04	文件：174.32 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor Features • P-channel - Logic Level - Enhancement mode • AEC qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green package (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested • Intended for reverse battery protection 文件：174.32 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI80P03P4L-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET ·P-channel - Logic Level - Enhancement mode\n ·AEC qualified\n ·MSL1 up to 260°C peak reflow\n ·175°C operating temperature\n ·Green package (RoHS compliant)\n ·100% Avalanche tested\n ·Intended for reverse battery protection\n;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80P03P4L-04	文件：174.32 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor Features • P-channel - Logic Level - Enhancement mode • AEC qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green package (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested • Intended for reverse battery protection 文件：174.32 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

VDS max：
-30.0V
ID max：
-80.0A
RDS (on)(@10V) max：
4.4mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
7.0mΩ
QG(typical) ：
125.0nC
VGS(th) min max：
-1.0V -2.0V

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更多IPI80P03P4L-04供应商更新时间2025-10-4 14:15:00

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