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IPB80P03P4L-04	文件：174.32 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor Features • P-channel - Logic Level - Enhancement mode • AEC qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green package (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested • Intended for reverse battery protection 文件：174.32 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80P03P4L-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V、P 沟道、最大 4.1mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -P2 • P-channel - Logic Level - Enhancement mode\n• AEC qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n• Intended for reverse battery protection\n\n优势:\n• No charge pump required for high side drive\n• Simple inter;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI80P03P4L-04	文件：174.32 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor Features • P-channel - Logic Level - Enhancement mode • AEC qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green package (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested • Intended for reverse battery protection 文件：174.32 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

OPN：
IPB80P03P4L04ATMA2
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK (PG-TO263-3)
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
4.1 mΩ
ID @25°C max：
-80 A
QG typ @10V：
125 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1 V
VGS(th) max：
-2 V
Technology：
OptiMOS™-P2

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