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IPP80CN10NG	文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages	丝印：80CN10N；Package：PG-TO220-3；N-channel, normal level Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：1.03396 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP80CN10NG	文件：1.02675 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor 文件：1.02675 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP80CN10NG	文件：710.31 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：710.31 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP80CN10NG_10	文件：1.02675 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor 文件：1.02675 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
IPP80CN10NG
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPP80CN10NG供应商更新时间2026-1-22 16:30:00

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