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IPP80N06S2L-H5	文件：161.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP80N06S2L-H5	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET; • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest current capability\n • lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n • robust packages with superior quality and reliability\n • Optimized total gate charge enables smaller driver output stages\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB80N06S2L-H5	文件：161.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB80N06S2L-H5	文件：311.12 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP80N06S2L-H5	文件：998.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPP80N06S2L-H5	文件：311.12 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

VDS max：
55.0V
ID max：
80.0A
RDS (on)(@10V) max：
5.0mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
6.5mΩ
QG(typical) ：
145.0nC
VGS(th) min max：
1.2V 2.0V

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更多IPP80N06S2L-H5供应商更新时间2025-7-29 16:36:00

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