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IPP80N06S2-05	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET ·N-channel - Enhancement mode\n ·Automotive AEC Q101 qualified\n ·MSL1 up to 260°C peak reflow\n ·175°C operating temperature\n ·Green package (lead free)\n ·Ultra low Rds(on)\n ·100% Avalanche tested;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N06S2-05	文件：160.78 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：160.78 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPB80N06S2-05	文件：307.41 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：307.41 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP80N06S2-05	文件：998.65 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：998.65 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPP80N06S2-05	文件：307.41 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：307.41 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

ID max：
80.0A
RDS (on)(@10V) max：
5.1mΩ
QG(typical) ：
130.0nC
VGS(th) min max：
2.1V 4.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	IPP80N06S2-05	INFINEON	24+	PG-TO220-3	8866		询价
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更多IPP80N06S2-05供应商更新时间2025-10-12 16:00:00

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