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IPP80N08S2-07	文件：161.21 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：161.21 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N08S2-07	文件：369.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：369.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP80N08S2-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel Logic Level - Enhancement mode\n• Automotive AEC Q101 qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green package (lead free)\n• Ultra low Rds(on)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 75V (on) in planar technology\n• highest current ;	Infineon 英飞凌	Infineon
SPB80N08S2-07	文件：422.48 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated 文件：422.48 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPB80N08S2-07	文件：363.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：363.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPI80N08S2-07	文件：422.48 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated 文件：422.48 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

更多IPP80N08S2-07供应商更新时间2025-10-4 15:01:00