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IPI80N08S4-06	文件：233.75 Kbytes Page：9 Pages	N-channel - Enhancement mode 文件：233.75 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI80N08S4-06	文件：363.67 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：363.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPI80N08S4-06	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • AEC 101 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保产品（符合 RoHS ）\n• 100% 经过雪崩测试\n \n 仿真/ SPICE-型号	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N08S4-06	文件：369.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：369.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP80N08S4-06	文件：233.75 Kbytes Page：9 Pages	N-channel - Enhancement mode 文件：233.75 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
80.0V
ID max：
80.0A
RDS (on)(@10V) max：
5.5mΩ
QG(typical) ：
70.0nC
VGS(th) min max：
2.0V 4.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPI80N08S4-06供应商更新时间2025-10-11 16:12:00

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