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IPI80CN10N	文件：305.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI80CN10NG	文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPI80CN10NG	文件：710.31 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI80CN10NG	文件：1.02675 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPP80CN10N	文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP80CN10NG	文件：1.02675 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP80CN10NG	文件：710.31 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPI80CN10N
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 13A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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