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IPI77N06S3-09

OptiMOS짰-T Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPI77N06S3-09

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPI77N06S3-09

MOSFET N-CH 55V 77A TO-262

Infineon

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IPP77N06S3-09

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS짰-T Power-Transistor

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详细参数

  • 型号:

    IPI77N06S3-09

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 77A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
24+
PG-TO262-3I2-PAK(T
8866
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PG-TO262-3/I2-PAK (TO262)
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PG-TO262-3/I2-PAK (TO262)
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更多IPI77N06S3-09供应商 更新时间2025-10-4 10:50:00