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IPI65R310CFD

650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor

650V CoolMOS C6 CFDA Power Transistor Applications 650V CoolMOS CFD is especially suitable for resonant switching PWM stages for e.g. PC Silverbox, LCD TV, Lighting, Server and Telecom

文件:6.65181 Mbytes 页数:20 Pages

Infineon

英飞凌

IPI65R310CFD

650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor

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Infineon

英飞凌

IPI65R310CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:331.12 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPI65R310CFD

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

650V CoolMOS ™ CFD2 的替代品是 600V CoolMOS ™ CFD7 650V CoolMOS ™ CFD2 是英飞凌第二代市场领先的高压 CoolMOS ™ MOSFET,带有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600 V CFD 的后继产品,能效更高。与竞争对手的器件相比,更柔和的换向特性以及更好的 EMI 特性使该产品具有明显的优势。 • 集成快速体二极管的 650V 技术\n• 硬换向期间的电压过冲有限\n• 与 600V CFD 技术相比,Qg 显著降低\n• 更严格的 RDS(on) 最大值至 RDS(on) 典型值窗口\n• 易于设计\n• 与 600V CFD 技术相比,价格更低;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • ID max:

    11.4 A

  • IDpulsmax:

    34.4 A

  • Ptotmax:

    104.2 W

  • QG:

    41 nC

  • RDS (on)max:

    310 mΩ

  • RthJAmax:

    62 K/W

  • RthJCmax:

    1.2 K/W

  • Rth:

    1.2 K/W

  • VDSmax:

    650 V

  • VGS(th):

    3.5 V to 4.5 V

  • Mounting:

    THT

  • Package:

    I2PAK (TO-262)

  • Operating Temperaturemin:

    -55 °C

  • Polarity:

    N

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更多IPI65R310CFD供应商 更新时间2025-10-4 10:06:00