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IPI80N08S2-07	文件：161.21 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI80N08S2-07	文件：363.66 Kbytes Page：2 Pages	Marking：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPP80N08S2-07	文件：369.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB80N08S2-07	文件：422.48 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPI80N08S2-07	文件：363.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPI80N08S2-07	文件：422.48 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPI80N08S2-07R	文件：325.34 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Integratedgateresistanceforeasyparallelconnection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPI80N08S2-07
功能描述：
MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 100A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IPI80N08S2-07供应商更新时间2025-7-26 14:31:00

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