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IPI70N10S3-12	文件：192.39 Kbytes Page：9 Pages	Marking：3N1012；Package：PG-TO262-3-1；OptiMOS-T Power-Transistor Features •N-channel-Enhancementmode •AutomotiveAECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •Greenproduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPD70N10S3-12	文件：185.72 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-TPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPI70N10S3-12
功能描述：
MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 70A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IPI70N10S3-12供应商更新时间2025-5-28 16:30:00

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