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IPP70N10S3-12	文件：192.39 Kbytes Page：9 Pages	丝印：3N1012；Package：PG-TO220-3-1；OptiMOS-T Power-Transistor Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested 文件：192.39 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP70N10S3-12	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green product (RoHS compliant)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• highest current capability 180A\n • low switching and conduction power losses for high thermal ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB70N10S3-12	文件：192.39 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested 文件：192.39 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD70N10S3-12	文件：185.72 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：185.72 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI70N10S3-12	文件：192.39 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested 文件：192.39 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

RDS (on)(@10V) max：
12.1mΩ
RDS (on) max：
12.1mΩ
QG(typical) ：
51.0nC
VDS max：
100.0V
ID max：
70.0A
RthJC max：
1.2K/W
Ptot max：
125.0W
IDpuls max：
280.0A
VGS(th) min max：
2.0V 4.0V

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更多IPP70N10S3-12供应商更新时间2025-12-12 14:00:00

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