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IPD14N06S2-80	文件：624.84 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IPD16CN10NG	文件：912.29 Kbytes Page：12 Pages	丝印：16CN10N；Package：PG-TO252-3；OptiMOS2 Power-Transistor Features N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRos(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRps(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating:RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronous	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD16CN10N-G	文件：912.29 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor Features N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRos(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRps(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating:RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronous	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD180N10N3G	文件：256.459 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD18DP10LM	文件：1.82601 Mbytes Page：11 Pages	丝印：18DP10LM；Package：PG-TO252-3；OptiMOS Power-Transistor,-100V Features P-channel Verylowon-resistanceRds(on)@Vgs=4.5V 100avalanchetested Logiclevel Enhancementmode Pb-freeleadplating;RoHScompliant *Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD19DP10NM	文件：1.79585 Mbytes Page：11 Pages	丝印：19DP10NM；Package：PG-TO252-3；OptiMOS Power-Transistor,-100V Features P-channel 100avalanchetested Normallevel Enhancementmode Pb-freeleadplating;RoHScompliant Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD100N04S4-02	文件：160.1 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD100N06S4-03	文件：168.75 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD1-02-D	文件：269.62 Kbytes Page：2 Pages	.100 SHROUDED CONTACT BODY	SamtecSamtec, Inc 美国申泰	ETC
IPD1-02-D-K	文件：269.62 Kbytes Page：2 Pages	100 SHROUDED CONTACT BODY	SamtecSamtec, Inc 美国申泰	ETC

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技术参数

OPN：
IPD100N04S4L02ATMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK (PG-TO252-3)
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
1.9 mΩ
ID @25°C max：
100 A
QG typ @10V：
126 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™-T2

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